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      半導體展望:審慎樂觀

             瀏覽次數(shù):136次     發(fā)布人:管理員     發(fā)布日期:2024-09-27

      瑞銀證券臺灣半導體分析師林莉鈞9月24日表示,對半導體業(yè)展望審慎樂觀,預期2025年將持續(xù)增長,其中,不含記憶體的半導體營收今年將成長約8%,明年有望再增長18%,成長動能主要來自消費類和AI相關產(chǎn)品,因目前下游庫存狀況健康、且較為穩(wěn)定。

      林莉鈞說,進入2025年初,預計下游庫存可能會過低,將進一步推動產(chǎn)能利用率,尤其是晶圓代工和封裝領域。雖然市場對GPU供應商推動架構過快而產(chǎn)生的良率,但預期這些問題在未來幾個月內會逐步改善。

      針對先進制程,2納米技術被視為未來幾年的重要機會,預計將超過3納米的需求高峰。隨著AI、PC和手機對運算能力的需求上升,且成熟制程晶圓代工廠利用率回升,預計臺灣的晶圓代工廠明年將呈現(xiàn)強勁增長。

      瑞銀臺灣硬體科技研究部主管陳星嘉指出,AI伺服器方面,首先投資人擔心美國四大云服務商(CSP)資本支出是否能持續(xù),進而影響臺灣供應鏈。

      記憶體寒冬將至供過于求問題將延續(xù)至2026

      外界普遍認為記憶體市況正走在穩(wěn)健的道路之際,外資摩根士丹利最新報告卻大潑冷水,直言記憶體“寒冬將至”,DRAM市場恐從周期性高峰回落,預期最快將于第4季反轉向下,開始面臨供過于求壓力,不僅接下來訂價環(huán)境更具挑戰(zhàn),供過于求問題更會一路延續(xù)至2026年。

      大摩是近期開出第一槍看壞記憶體市況的外資,法人認為,若DRAM市況反轉向下,將牽動臺灣相關業(yè)者后市。

      大摩今年第2季初仍看多記憶體市況,當時認為在AI快速發(fā)展下,將導致DRAM和高頻寬記憶體(HBM)供不應求,預計整個DRAM市場供應缺口高達23%,樂觀預期將出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)“超級周期”。短短半年大摩即“變臉”,最新記憶體產(chǎn)業(yè)報告出現(xiàn)180度大轉變。

      摩在最新報告指出,“行業(yè)不會永遠處于夏季,寒冬總會到來”,盡管記憶體價格仍在上漲,但隨著供應追上需求,增長速度正在接近峰值,將記憶體周指標自2021年以來首次從“周期后期”調整為“周期峰值”,研判在接下來的幾個季度中,記憶體產(chǎn)業(yè)將走完一個完整周期,最快今年第4季就會看到這個高峰周期結束。

      大摩強調,雖然AI需求相對仍強勁,但傳統(tǒng)終端市場最近幾周已惡化或保持疲軟,并導致價格下滑,初步跡象表明,第4季訂價環(huán)境將更具挑戰(zhàn),預期恐于2025年出現(xiàn)趨勢逆轉,DRAM將一路供過于求至2026年,主因庫存持續(xù)積累,并加劇供需失衡狀況。

      就主要廠商后市來看,大摩大刀一揮,大砍SK海力士目標價,從26萬韓元腰斬至12萬韓元。

      大摩認為,SK海力士今年大部分時期仍將表現(xiàn)良好,但從第4季開始烏云密布;大摩看壞SK海力士之際,對南亞科、旺宏等臺灣記憶體廠也同步給予“減碼”評等,使得以DRAM為主要貨源、常因市況起伏而影響營運的威剛、十銓、創(chuàng)見等記憶體模組廠后市同受關注。

      HBM市場分散化、AI投資達高峰明年恐供過于求

      外資摩根士丹利最新報告開出進看壞DRAM市況的第一槍之際,同步唱衰當紅的高頻寬記憶體(HBM)后市,預期隨著市場分散化以及AI領域投資達到高峰,明年HBM市場可能供過于求。惟記憶體業(yè)者普遍不認同大摩的觀點,認為HBM市場一路旺到2025年無虞。

      大摩的觀點是,每家記憶體廠都在根據(jù)HBM產(chǎn)出的最佳可能情況進行生產(chǎn),將全球原本用于生產(chǎn)DRAM的15%產(chǎn)能轉換至生產(chǎn)HBM,這只需要少量的資本投資,預估僅不到2024年DRAM晶圓制造設備的10%,然而,如果按這個計畫進行,HBM產(chǎn)能可能會面臨過剩。

      大摩直言,現(xiàn)階段業(yè)界良好的HBM供應狀態(tài),2025年時,恐面臨實際產(chǎn)出可能會逐漸趕上、甚至超過當前被高估的需求量。一旦上述問題浮現(xiàn),導致HBM供過于求,記憶體廠可把產(chǎn)能挪回制造DDR5,并閑置一小部分后端設備。

      目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家國外大廠供應,臺廠并未涉入HBM制造。相較于大摩看壞HBM市場發(fā)展,SK海力士、三星仍力挺HBM后市。

      三星、SK海力士本月初來臺參加國際半導體展(SEMICON Taiwan 2024),當時兩大廠即同步釋出對HBM后市正向看待的觀點,并積極推出最新產(chǎn)品,且不約而同強調將強化與其他晶圓廠合作。

      三星并推估,HBM市場規(guī)模今年將達到16億Gb,相當于2016年到2023年加起來再乘以兩倍的數(shù)字,顯現(xiàn)HBM市場爆發(fā)力強勁,看好AI將帶動DRAM市場蓬勃發(fā)展。為此,三星下世代MCRDIMM也已經(jīng)準備好將在年底量產(chǎn),并推出32Gb DDR5。

      來源:內容綜合自經(jīng)濟日報



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